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| Part Number | Package | Description | Download |
| N32G432xB | LQFP32、LQFP48、LQFP64 | 32bit ARM Cortex-M4F、12bit ADC、108MHz、128KB Flash、CAN、U(S)ART （N32G432KBL7, N32G432CBL7，N32G432RBL7） |
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| N32G432x8 | LQFP32、LQFP48、LQFP64 | 32bit ARM Cortex-M4F、12bit ADC、108MHz、128KB Flash、CAN、USB (N32G432K8L7, N32G432C8L7，N32G4322R8L7) |
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简介
N32G432系列采用32 bit ARM Cortex-M4内核，最高工作主频108MHz，支持浮点运算和DSP指令，集成高达128KB嵌入式加密Flash，32KB SRAM，集成丰富的高性能模拟器件，内置1个12bit 5Msps ADC，1个1Msps 12bit DAC，集成多路U(S)ART、I2C、SPI、USB、CAN等数字通信接口, 内置密码算法硬件加速引擎
■ 内核CPU
― 32位ARM Cortex-M4 内核+ FPU，单周期硬件乘除法指令，支持DSP指令和MPU― 内置2KB 指令Cache缓存，支持Flash加速单元执行程序 0 等待― 最高主频108MHz，135DMIPS■ 加密存储器― 高达128KByte片内Flash，支持加密存储、分区管理及数据保护，支持硬件ECC校验，10万次擦写次数，10年数据保持― 高达32KByte片内SRAM（包含8KByte Retention RAM），支持硬件奇偶校验■ 低功耗管理― Power down 模式：0.8uA― Standby模式：2uA，所有备份寄存器保持，所有IO保持，可选RTC Run,8KByte Retention SRAM保持， 快速唤醒― Stop2模式：4uA，RTC Run ，8KByte Retention SRAM保持，CPU寄存器保持，所有IO保持，快速唤醒■ 高性能模拟接口― 1个12bit 5Msps ADC，多种精度可配置，6bit 模式下采样率高达9Msps，多达16路外部单端输入通道，支持差分模式― 1个12bit DAC，采样率1Msps― 内部2.048V独立参考电压基准源― 所有模拟接口支持1.8~3.6V全电压工作■ 时钟― 4MHz~32MHz外部高速晶体― 32.768KHz外部低速晶体― 内部高速RC 16MHz― 内部低速RC 40KHz― 内置高速PLL― 支持1路时钟输出，可配置为低速或高速时钟输出■ 复位― 支持上电/掉电/外部引脚复位― 支持可编程的低电压检测及复位― 支持看门狗复位■ 最大支持52个 GPIOs，最大翻转速度50MHz.■ 通信接口― 5个U(S)ART接口，其中3个USART接口（支持1xISO7816，1xIrDA，LIN），2个UART接口― 1个LPUART，支持STOP2低功耗状态下唤醒MCU― 2个SPI接口，速率高达27 MHz，支持I2S通信― 2个I2C接口，速率高达1 MHz，主从模式可配，从机模式下支持双地址响应― 1个USB2.0 FS Device接口― 1个CAN 2.0B总线接口■ 1个高速DMA控制器，每个控制器支持8通道，通道源地址及目的地址任意可配■ RTC实时时钟，支持闰年万年历，闹钟事件，周期性唤醒,支持内外部时钟校准■ 定时计数器― 2 个16bit高级定时计数器，支持输入捕获，互补输出 ，正交编码输入，最高控制精度9.25nS；每个定时器有4个独立的通道，其中3个通道支持6路互补PWM输出― 5个 16bit通用定时计数器， 每个定时器有4个独立通道，支持输入捕获/输出比较/PWM输出― 2个16bit基础定时计数器― 1个16bit 低功耗定时计数器，支持双脉冲计数功能，可在STOP2状态下工作― 1x 24bit SysTick― 1x 7bit 窗口看门狗(WWDG)― 1x 12bit独立看门狗( IWDG)■ 编程方式― 支持SWD/JTAG在线调试接口― 支持UART、USB Bootloader■ 安全特性― 内置密码算法硬件加速引擎― 支持AES、DES、TDES、SHA1/224/256，SM1、SM3、SM4、SM7算法― Flash存储加密，多用户分区管理（MMU）― TRNG真随机数发生器― CRC16/32运算― 支持写保护（WRP），多种读保护（RDP）等级（L0/L1/L2）― 支持安全启动，程序加密下载，安全更新― 支持外部时钟失效监测，防拆监测■ 128位UCID■ 工作条件
― 工作电压范围：1.8V~3.6V― 工作温度范围：-40℃～105℃― ESD：±4KV（HBM模型）, ±1KV（CDM模型）
